Kai Cheng 程凯
Board Chair&President of Enkris Semiconductor, Inc.
苏州晶湛半导体有限公司，董事长、总裁

个人简介 / Biography

程凯, 清华大学电子工程系本科硕士，比利时鲁汶大学和IMEC联合培养博士（2008年）。曾任IMEC GaN项目资深科学家，2012年回国创办晶湛半导体并任总裁，致力于氮化镓外延材料的产业化。
程博士是业界公认的硅上氮化镓外延技术的开拓者之一，分别于2006年、2011年和2021年首次研制出6英寸、8英寸、12英寸GaN-on-Si外延材料，拥有非常丰富的材料生长经验，能够在不同衬底上(Si/Sapphire/GaN等)实现高质量GaN外延。累计申请国内外专利近500项，已授权100余项。

Abstract / 摘要

GaN被认为是下一代电力电子与新型显示技术的核心材料，尤其在新能源汽车领域，转换器、OBC、数字座舱等都得到了市场的广泛关注。
晶湛半导体提供的高质量硅基GaN HEMT外延片，可涵盖40—1200V功率应用；并在全球首次将GaN-on-Si晶圆尺寸成功扩展至300mm。同时，晶湛创新开发并实现的多沟道结构、垂直结构、GaN/SiC混合系统等多种新型外延结构，极大拓展了GaN在高压领域的应用潜力。
此外，晶湛半导体也为AR/VR等新型显示应用提供性能优异的、大尺寸硅上Micro-LED全彩（RGB）解决方案。晶湛半导体的300mm大尺寸硅基GaN外延片，为先进的功率、射频、光电芯片与逻辑芯片的混合异构集成铺平了道路。