邱艳丽
研发部部长，合肥世纪金芯半导体有限公司

讲师简介 / Speaker Bio

合肥世纪金芯半导体有限公司研发工艺部部长。2019年博士毕业于中国科学院大学，2016-2017年哈佛大学联合培养，2019-2021清华大学博士后，从事物理学领域研究工作，主要涉及物理理论模型搭建、大数据分析、模型仿真等方面研究。2021年-2023年在北京世纪金光工作，参与单晶生长到器件设计的全链条的研发工作，主导了1200V/1700V SBD和MOSFET多款产品的设计工作和单晶衬底位错缺陷的优化、可靠行验证的工作。2023年至今在合肥金芯工作，担任研发工艺部部长，重点从事单晶生长的研发、加工工艺的开发工作。具有10年科研经历，具有碳化硅单晶生长、碳化硅晶圆加工、功率器件设计、器件可靠性测试等经验。发表SCI论文7篇、国际会议论文1篇，引用率超过130次，发表专利13个。参与装备发展部项目4项，北京市高精尖项目2项。