庄伟东博士1988年毕业于上海交通大学，获材料科学专业工学学士学位。1991年获得上海交通大学复合材料专业工学硕士学位。1992年赴美国麻省理工学院（MIT）攻读博士学位，1996年获电子材料博士学位。毕业后进入美国半导体工业界，从事功率半导体器件和工艺的研发。历任设计工程师，高级工程师， 总工程师，研发部门经理等职。主要工作有MOSFET、IGBT、FRED、Schottky Rectifier，和UFR 等功率芯片的研发，以及对由这些半导体功率芯片组成的功率模块和多芯片模块（MCM）的设计及工艺的开发和应用。对基于半导体物理的功率器件可靠性及失效原理进行了深入研究，参与并主持过多个大型工程系统关键器件的研制，如美国国际载人空间站的供电系统，空中客车公司A380 大型客机的舱内供电系统等。申请并获得十数个美国专利。
现任南京银茂微电子制造有限公司总经理兼总工程师，曾获2008年江苏省双创人才、2009年南京市归国创业高素质人才领军人物等荣誉称号，2009年入选国家“千人计划”，获聘国家级专家，2010年入选江苏省科技企业家培育工程。2011年入选江苏省“333高层次人才培养工程。2012年荣获“全国优秀科技工作者”称号。
Abstract：
Silicon Carbide （SiC）Power Modules for Energy Saving Applications
Silicon carbide (SiC) power devices are finding more applicarions in power electronics applications. SiC based devices can offer higher switching frequency as compared to silicon based IGBTs, and potential savings at system level by reducing inductor as well as capacitor usage. Another benefit is reduced system suze or increased power density. In addition, SiC based devices have the ability of operating at junction temperature exceeding 200C, which makes reliable packaging a challenge. This paper offers some attemps in SiC based power module designs which have the potential for energy saving applications |
