Richard Huang
TD VP of Xiamen San’an Optoelectronics Technology Co.Ltd.

10 工作经验于专业微波 IDM 公司，期间从参与公司的创立，到成功开发出砷化镓高速电子移动晶体管(GaAs PHEMT) 的制程与其有竞争力高可靠度的高频高功率组件，从组件开发、制造及特性的分析，进而从事单晶微波集成电路(MMIC)的设计与制造。四年工作经验在专业微波集成电路代工公司负责先进技术开发部门，从事 MMIC 代工，与国外 Skyworks 公司合作成功开发 0.25 um ED-modepHEMT 用于 iPhone 6 手机上，并接单生产，及0.25 um Power pHEMT，达到 1.5W/mm 在 X-band应用，并且在制程上成功开发铜制程用于 MMIC 制程上。

Abstract：
三安集成电路砷化镓与氮化镓代工技术
A. Technologies in Sanan-IC
1. High Linearity 2um InGaP HBT
2. High Ruggedness 2um InGaP HBT
3. GaAs pHEMT
4. GaN HEMT
B. The Reliability in Sanan-IC
1. HTOL
2. HAST
3. TCT
4. MIM
5. EM
C. The GaAs/GaN Foundry Market
1. GaN RF device applications analysis；
2. Power RF Device Market Breakdown；
3. 4“（or6”） epi-wafer demand for GaN-Based RF devices
4. GaN RF players (Foundry, IDM, etc.)