Rong Xuan 宣融
GM of Best Compound Semiconductor Co., Ltd.
南京百识电子科技有限公司，总经理

讲师简介 / Speaker Bio

学历：博士研究生
简介/经历：宣融，台湾交通大学博士，46岁。
主要研究方向为第三代半导体，发表著作20篇，半导体领域专利发明86件。主要经历如下：
研究所毕业后进入台湾工研院电光所服务，在技术研发与产业服务方面皆有优良表现。期间取得交大电子物理博士学位。博士论文为“以硅基板开发常关型氮化镓高电子移动率晶体管”。
曾先后供职于台湾汉磊科技和嘉晶电子，组建第三代半导体技术团队，领导并完成多项三代半功率器件新产品的研发和销售任务，多年来率领技术团队在氮化镓和碳化硅功率器件的量产良率提升方面取得卓越成绩。
2019年创立南京百识电子，担任南京百识董事、总经理和创始人。建立专业第三代半导体外延片代工厂，目前4/6寸SiC外延片，以及6/8寸GaN on Si外延片生产线均已完成建置，并在2022年顺利实现量产；在碳化硅和氮化镓外延片的生产上，宣融所领导的团队具备10年以上超过5万片量产经验。
荣誉：曾获得台湾工研院部服务推广奖银牌；工研院电光所杰出研究所金牌；新竹县社会优秀青年；南京浦口区中青年优秀人才；江苏省双创人才，中国科学技术大学硕士研究生实践导师。

摘要 / Abstract

碳化硅是国内功率器件重要的起飞赛道，主要应用于新能源汽车/光伏逆变器芯片等等 。量产制造是碳化硅芯片加速渗透应用市场的重要关键，碳化硅外延片的厚度、浓度缺陷将直接影响到芯片的良率稳定性。本次演讲将介绍碳化硅应用前景、供应链现况、外延片量产工艺与芯片良率，为碳化硅芯片国产化尽份心力。 SiC is an important take-off track for power device industry in China, which mainly used in EV/PV inverter chips and so on. Mass production is vital to accelerate the penetration of SiC chips in the application market. The thickness and concentration defects of SiC Epitaxial Wafer will directly affect the yield stability of chips. This presentation will introduce the application prospect, supply chain status, epitaxial wafer mass production process and chip yield of SiC, and also contribute to the localization of SiC chips.