Guoyou Liu 刘国友
Vice Chief Engineer of CRRC Zhuzhou Semiconductor
株洲中车时代电气股份有限公司，副总工程师

个人简介 / Biography

刘国友博士，教授级高级工程师，中车科学家，功率半导体与集成技术全国重点实验室副主任，西南交通大学中车时代微电子学院副院长，入选国家“万人计划”科技领军人才，国务院特殊津贴专家， “光召科技奖”、“杰出工程师奖”和“全国创新争先奖”获得者，武汉大学、湖南大学和西南交通大学兼职教授，IEEE高级会员，Semi中国化合物半导体标准技术委员会主席。 长期从事功率半导体技术研究与产业化，主持国家功率半导体领域重大科研与产业化项目10余项，研发了全球第一只6英寸直流输电晶闸管、第一片8英寸高压IGBT芯片。在8英寸高压IGBT芯片制造技术与工艺集成、高速列车IGBT、超大容量压接型IGBT、汽车级IGBT、SiC功率半导体技术与产业化等方面取得多项成果，支撑了高铁、智能电网、电动汽车与新能源装备创新发展与产业安全，为我国高压IGBT技术从无到有、产业由弱到强做出了系统性与开创性贡献。

在国内外核心期刊发表论文100余篇，获授权发明专利120余项，PCT专利5项，荣获国家技术发明二等奖1项、国家科学技术进步二等奖1项、中国专利奖银奖1项，省部级科技特等奖/一等奖10项。