首页   :    同期研讨会/活动 :    技术论坛 :    功率半导体论坛2016

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日期:2016年3月17日 星期四 
地点:上海浦东嘉里大酒店, 浦东大宴会厅 4
地址:上海市浦东新区花木路1388号

随着功率半导体器件在移动通讯、消费电子、新能源交通、发电与配电领域发挥着越来越重要的作用,“中国智造”时代的来临给功率半导体行业带来新的发展机遇和增长动力。
 
SEMI中国将在SEMICON China 2016期间于3月17日在上海举办“功率半导体论坛2016”。 内容涵盖氮化镓、碳化硅宽禁带半导体材料和器件、IGBT、射频通讯等最新技术进展及应用市场趋势。我们诚挚地邀请您参加本次论坛,期待与您相见!
 

08:30-09:20注册
09:20-09:30欢迎致辞
Session 1: III-V族 半导体及通讯电子

Session 1: III-V族 半导体及通讯电子

主持人:
Daniel  Tracy
Senior. Director of IRS, SEMI

09:30-10:10
开幕演讲
于4G基站GaN功率放大器

张乃千
苏州能讯高能半导体有限公司总裁

SEMI中国功率及化合物半导体委员会联合主席
10:10-10:40
Front End Power Management for the Next Generation

Ripley David
Skyworks 高级技术总监
10:40-11:10
三安集成电路砷化镓与氮化镓代工技术

黄博
厦门市三安光电科技有限公司研发副总裁

公司为SEMI中国功率及化合物半导体委员会成员单位
11:10-11:40

用于提高功率器件性能的硅基氮化镓MOCVD进展

Somit Joshi
Sr. Director of Marketing in Veeco

11:40-13:00休息
Session2 : High-Voltage Power Semiconductor Technology
Session2 : High-Voltage Power Semiconductor Technology
 
 
主持人:
林志东
三安光电股份有限公司总经理助理及分管集成电路项目业务和销售
13:00-13:25

高功率 IGBT的技术前沿 :  高溫、高密度、便扩容

马国伟
英飞凌科技香港有限公司工业功率控制事业部总监

13:25-13:50
功率半导体技术助力中国高铁的快速发展

刘国友
中国中车株洲南车时代副总经理

SEMI中国功率及化合物半导体委员会成员
13:50-14:15
面向大功率低损耗应用的功率半导体的发展及趋势

陈马看
ABB 瑞士-半导体高级销售经理
14:15-14:40

碳化硅功率模组之节能应用

庄伟东
南京银茂微电子有限公司总经理

SEMI中国功率及化合物半导体委员会成员

14:40-15:05
促进绿色革命—功率分立器件工艺平台

杨继业
上海华虹宏力部长

公司为SEMI中国功率及化合物半导体委员会成员单位
15:05-15:20休息
Session 3: Front-end Materials and Process

Session 3: Front-end Materials and Process

主持人:
孙钱 博士
2015国家技术发明一等奖获得者;晶能光电副总裁

15:20-15:45
功率半导体碳化硅外延生长技术进展

冯淦
瀚天天成公司研发副总裁
15:45-16:10

用于高效电力电子半导体器件的GaN和SiC外延生产技术的进一步发展

Frank Wischmeyer 博士
德国爱思强股份有限公司电力电子器件副总裁

16:10-16:35
原位检测技术电力电子制造中的早期探测应用

Thieme Tom,
Director Marketing & Sales of LayTec AG
16:35-17:15
 
17:15-17:20幸运抽奖

 *议程变化恕不另行通知

类型提前注册并付费(2月20日之前)注册费(2月20日之后)及现场付费
听众RMB 800/位RMB 1000/位
讲师FreeFree

* 不含午餐


Daniel Qi SEMI China 
Tel: 86-21-60278576 
Fax: 86-21-60278511 
Email: fqi@semi.org 

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